碳化硅设备

2022-03-17T09:03:01+00:00

产业加速扩张之下，碳化硅设备成入局“香饽饽”腾讯新闻

2022年12月15日由于碳化硅具有宽禁带宽度、高击穿电场、高热导率、高电子饱和速率及更高的抗辐射能力等优点，是高温、高压、大功率应用场合下极为理想的半导体材料， 2023年2月26日碳化硅是制作大功率、高频、低损耗功率器件的最佳材料与硅基半导体材料相比，碳化硅具备能量损耗低、封装尺寸更小、可实现高频开关以及耐高温、散热能力行业研机械设备关注碳化硅设备国产化突破和加速究 2023 2023年5月8日碳化硅是目前发展最成熟的第三代半导体材料，拥有禁带宽度大、器件极限工作温度高、临界击穿电场强度大、热导率高等显著性能优势，在电动汽车、电源、军工、航天等领域具有广阔的市场前景。近年中国碳化硅产业链全景图，附30家企业汇总知乎

打造第三代半导体碳化硅材料全产业链科友关键装备

2023年3月26日而国外对碳化硅高端设备及产品进行技术封锁，碳化硅衬底的产能缺口巨大。为推动我国第三代半导体装备及材料产业链自主可控，哈尔滨工业大学教授赵丽丽于2018年带领技术团队成立科友半导体，依托 2023年4月19日已认证账号 1 人赞同了该文章导读：近日中国电科公布一系列成果，显示在国产碳化硅（SiC）设备及器件上取得突破。图：中电科55所生产线 4月17日，中国电科宣布旗下55所与一汽联合研发的首款中国电科：国产碳化硅器件和设备取得突破知乎2020年10月19日 SiC功率器件与硅（Si）相比，碳化硅（SiC）是一种介电击穿强度更大、饱和电子漂移速度更快且热导率更高的半导体材料。因此，与硅器件相比，当用于半导体器件中时，碳化硅器件可以提供高耐压 SiC功率器件东芝半导体存储产品中国官网

碳化硅，第三代半导体时代的中国机会新华网

2021年7月21日碳化硅，第三代半导体时代的中国机会 5G通信、电动汽车等新兴产业对碳化硅材料将产生巨大需求，大力发展碳化硅产业，可引领带动原材料与设备两个千亿级 2021年1月15日采用碳化硅材料的创新型发明，英罗唯森还开发出碳化硅硫酸稀释器、碳化硅硫酸蒸发器、碳化硅降膜吸收器、碳化硅硫酸裂解器、碳化硅取样管、碳化硅温度计英罗唯森：开启碳化硅设备先河澎湃号媒体澎湃新闻The 2023年9月29日适用于各种用途 Electric began developing SiC as a new material in the early 1990s Pursuing special characteristics, we succeeded in developing various elemental technologies In 2010, we 三菱电机功率器件：SiC MITSUBISHI ELECTRIC

行业研机械设备关注碳化硅设备国产化突破和加速究 2023

2023年2月26日国内碳化硅IDM 厂商三安光电，衬底厂商天岳先进、露笑科技、东尼电子、北京天科，器件厂商士兰微、华润微电子、燕东微电子等加速扩产，而设备是决定各厂商产能上限的决定性因素。碳化硅产业资本开支加速，供应链安全可控助力国产碳化硅设备厂商2022年3月22日掌握了碳化硅晶片生产的“设备研制—原料合成—晶体生长—晶体切割—晶片加工—清洗检测”全流程关键技术和工艺。2020 年 8 月 17，公司碳化硅碳化硅衬底设备行业深度报告：新能源需求兴起，国产 2023年6月30日根据《2022碳化硅（SiC）产业调研白皮书》，经过过去20多年设备研发积累, 中电科48所、北方华创、恒普科技、优晶光电、纳设、晶盛机电和季华实验碳化硅“狂飙”：追赶、内卷、替代碳化硅新浪财经新浪网

本土超20条碳化硅晶圆产线大盘点！知乎专栏

2021年10月15日根据调研报告披露，合肥碳化硅项目一期100台设备已经完成出厂调试，预计7月底在合肥工厂完成安装调试；衬底片已通过多家第三方单位的测试，已达到了P级标准。随着衬底加工设备、清洗设备、测试设备等的逐步到位，以及加工工艺的进一步碳化硅，第三代半导体时代的中国机会 08:57:31 来源：科技日报 5G通信、电动汽车等新兴产业对碳化硅材料将产生巨大需求，大力发展碳化硅产业，可引领带动原材料与设备两个千亿级产业，助力我国加快向高端材料、高端设备制造业转型发展的步伐碳化硅，第三代半导体时代的中国机会新华网2023年8月19日在国产外延设备方面，北方华创、晶盛机电等企业开始小批量生产碳化硅外延设备，且当下存在发展的良机。一是目前国内外延片的制备受限于设备交付环节（疫情等原因），无法快速放量，主流碳化硅高温外延设备交付周期普遍在152年以上。为什么碳化硅要用外延，而不是直接切一片厚的晶圆？知乎

第三代半导体材料碳化硅(SiC)研究进展知乎

2021年6月11日 1 碳化硅的制备方法碳化硅产业链主要包含粉体、单晶材料、外延材料、芯片制备、功率器件、模块封装和应用等环节。 SiC 粉体：将高纯硅粉和高纯碳粉按一定配比混合，于2,000 ℃以上的高温下反应合成碳化硅颗粒，再经过破碎、清洗等加工工序，获得可以满足晶体生长要求的高纯度碳化硅 2020年6月16日半导体制造之设备篇半导体需要的设备比较繁杂，在晶圆制造中，由于光刻、刻蚀、沉积等流程在芯片生产过程中需要20到50次的反复制作，是芯片前端加工过程的三大核心技术，其设备价值也最高，但半导体制造设备远远不止这些，本文将一一比较国产化半导体制造之设备篇：国产、进口设备大对比知乎2023年2月1日碳化硅、氮化镓材料的饱和电子漂移速率分别是硅的20、25倍，因此碳化硅、氮化镓器件的工作频率大于传统的硅器件。然而，氮化镓材料存在耐热性能较差的缺点，而碳化硅的耐热性和导热性都较好，可以弥补氮化镓器件耐热性较2022年中国SiC碳化硅器件行业深度研究报告 East Money

碳化硅功率器件之一知乎

2021年8月24日目前，碳化硅功率器件市场增长的主要驱动力是碳化硅二极管在功率因素校正（PFC）电源、光伏中的大规模应用。得益于碳化硅MOSFET性能和可靠性的提高，3～5年内碳化硅MOSFET有望在新能源汽车传动系统主逆变器中获得广泛应用，未来五年内碳化硅器件市场增长的主要驱动力将由碳化硅二极管转变为 2020年4月5日国内碳化硅半导体产业链代表企业衬底企业天科合达北京天科合达半导体股份有限公司于2006年9月由新疆天富集团、中国科学院物理研究所共同设立，是一家专业从事第三代半导体碳化硅（SiC）晶片研发、生产和销售的高新技术企业。国内碳化硅半导体企业大盘点知乎2023年3月26日而国外对碳化硅高端设备及产品进行技术封锁，碳化硅衬底的产能缺口巨大。为推动我国第三代半导体装备及材料产业链自主可控，哈尔滨工业大学教授赵丽丽于2018年带领技术团队成立科友半导体，依托打造第三代半导体碳化硅材料全产业链科友关键装备

晶盛机电:迈向半导体+碳化硅设备龙头,设备+零部件布局铸造

2023年7月17日设备先行、受益大尺寸需求扩张半导体硅片核心设备包括：长晶、切片、研磨、抛光、外延设备等。半导体硅片生产工序流程与光伏硅片相似，但不同之处在于： 1）光伏长晶炉在整线中价值量占比超过 80%，而半导体硅片设备中单晶炉、切磨抛设备、外 2022年12月15日产业加速扩张之下，碳化硅设备成入局“香饽饽” 爱集微 19:16 福建 4 集微网报道，2022年以来，受全球消费电子市场整体放缓以及新冠疫情反复的影响，半导体产业在经历了持续良久的高景气后开启了去库存周期。值得一提的是，虽然半导体产业加速扩张之下，碳化硅设备成入局“香饽饽”sic材料延安星特亮科创有限公司致力于人工晶体生长设备和闪烁晶体材料的研发、生产和销售；主要产品有碳化硅单晶炉、碳化硅籽晶粘接炉、碳化硅单晶热处理炉、下降炉、直拉单晶炉等；闪烁晶体材料主要产品有1"—8"、1L—4L碘化钠（铊）系列晶体、溴化镧晶体、碘化铯晶体和探测器；公司现有核心江苏星特亮科技有限公司（官方网站）延安星特亮科创有限

碳化硅设备行业深度报告：多技术并行，衬底切片设备加速

2023年4月26日碳化硅设备行业深度报告：多技术并行，衬底切片设备加速国产化 1 碳化硅高性能+低损耗，产业化受制于衬底产能 11 半导体材料更迭四代，宽禁带材料突破瓶颈在高性能和低能耗半导体器件驱动下，半导体材料经历四次更迭。半导体材料是制造半导体 2019年2月22日东莞天域东莞市天域半导体科技有限公司（TYSiC)成立于2009年1月7日,是我国首家专业从事第三代半导体碳化硅外延片研发、生产和销售的高新技术企业。目前公司已引进四台世界一流的SiCCVD及配套检测设备，生长技术已达到国际先进水平。 2012年天国内第三代半导体厂商（碳化硅）知乎2022年8月12日就第三代半导体器件而言，这类半导体器件几乎都做在外延层上，碳化硅晶片本身只作为衬底。SiC外延材料的厚度、背景载流子浓度等参数直接决定着SiC器件的各项电学性能。高电压应用的碳化硅器件对于外延材料的厚度、背景载流子浓度等参数提出新的要 [初探半导体产业]一文搞懂"衬底"“外延”的区别和联系知乎

中国电科：国产碳化硅器件和设备取得突破知乎

2023年4月19日图：中电科48所SiC外延生长设备碳化硅外延生长炉，主要用于在碳化硅晶圆衬底上生长同质外延材料，每一颗碳化硅芯片都是基于外延层制造的结晶。48所技术专家表示，碳化硅外延生长炉是承接衬底和芯片制造的关键环节，直接影响芯片的等级和良率。2020年10月19日碳化硅的设备国产化在这两年也有一些进展。比如用于衬底生产的单晶生长设备——硅长晶炉：2019年11月26日，露笑科技与中科钢研、国宏中宇签署合作协议，依托中科钢研及国宏中宇在碳化硅晶体材料生长工艺技术方面已经取得的与持续产出的小议碳化硅的国产化知乎2023年7月4日碳化硅晶圆制造设备：除了SiC衬底外，晶圆制造难是国产SiC MOSFET尚未应用于主驱的关键所在，未来国产SiC芯片扩产也会受到关键设备的牵制。由于SiC材料硬度高、熔点高等特性，需要一些特殊的碳化硅“狂飙”：追赶、内卷、替代外延器件市场

碳化硅功率模块封装技术综述知乎

2022年7月22日碳化硅作为宽禁带半导体的代表，理论上具有极其优异的性能，有望在大功率电力电子变换器中替换传统硅 IGBT，大幅提升变换器的效率以及功率密度等性能。但是目前商用碳化硅功率模块仍然沿用传统硅 2023年2月4日英杰电气：为碳化硅制造设备配套电源盛美半导体：推出新型化学机械研磨后（PostCMP）清洗设备。这是该公司款PostCMP清洗设备，可用于制造高质量衬底化学机械研磨（CMP）工艺之后碳化硅产业链深度解析（全网最全独家）碳化硅产业链 2022年12月15日产业加速扩张之下，碳化硅设备成入局“香饽饽”,碳化硅,半导体,sic,长晶炉,半导体材料,材料集微网报道，2022年以来，受全球消费电子市场整体放缓以及新冠疫情反复的影响，半导体产业在经历了持续良久的高景气后开启了去库存周期。产业加速扩张之下，碳化硅设备成入局“香饽饽”sic长晶炉

造一颗SiC芯片，需要哪些关键设备？工艺碳化硅中国

2023年5月21日磨抛设备碳化硅的磨抛设备分为粗磨和细磨设备，粗磨方面国产设备基本可以满足加工需求，但是细磨方面主要采购来自于日本不二越、英国logitech、日本disco等公司的设备，采用设备与工艺打包销售的方式，极大的增加了工艺厂商的使用成本和维护成本。2022年12月15日产业加速扩张之下，碳化硅设备成入局“香饽饽” 18:07 集微网报道，2022年以来，受全球消费电子市场整体放缓以及新冠疫情反复的影响，半导体产业在经历了持续良久的高景气后开启了去库存周期。值得一提的是，虽然半导体产业已经步入下产业加速扩张之下，碳化硅设备成入局“香饽饽”半导体晶炉 2023年3月13日碳化硅器件制备过程中相对特殊的设备或要求：需使用分步投影光刻机、专用的碳化硅外延炉、高温离子注入机、高温退火和高温氧化设备；干法刻蚀设备需更高的刻蚀功率；器件封装过程中的减薄机需针对碳化硅材料脆硬特性改进；划片机需针对碳化硅导碳化硅 ~ 制备难点知乎

碳化硅，第三代半导体时代的中国机会国家自然科学基金

2021年7月21日碳化硅，第三代半导体时代的中国机会 5G通信、电动汽车等新兴产业对碳化硅材料将产生巨大需求，大力发展碳化硅产业，可引领带动原材料与设备两个千亿级产业，助力我国加快向高端材料、高端设备制造业转型发展的步伐。今年发布的“‘十四五’规划和 2023年2月15日碳化硅(SiC)是制作高温、高频、大功率电子器件的理想电子材料,近20 年来随着外延设备和工艺技术水平不断提升,外延膜生长速率和品质逐步提高,碳化硅在新能源汽车、光伏产业、高压输配线和智能电站等领域的应用需求越来越大。与硅半导体产业不同,碳化化学气相沉积法碳化硅外延设备技术进展电子工程专辑 EE 2019年9月2日碳化硅SIC材料研究现状与行业应用半导体器件是现代工业整机设备的核心，广泛应用于计算机、消费类电子、网络通信、汽车电子等核心领域，半导体器件产业主要由四个基本部分组成：集成电路、光电器件、分立器件、传感器，其中集成电路占到了80%以上碳化硅SIC材料研究现状与行业应用知乎

SiC 衬底——产业瓶颈亟待突破，国内厂商加速发展

2021年11月24日随着衬底加工设备、清洗设备和测试设备的逐步到位及加工工艺优化，合肥工厂 9 月份基本可实现 6 英寸导电型碳化硅衬底片的小批量生产。同时报告期内公司大幅增加碳化硅业务的研发投入，研发费用 2023年3月7日公司引进了国际新型的碳化硅外延生产线和各种高端检测设备，汇集了国内外碳化硅半导体领域优秀技术专家，为客户提供 3 英寸、4 英寸和 6 英寸碳化硅半导体外延晶片。产能规模持续提升，三期项目预碳化硅行业研究：同质外延SiC需求广阔，掘金百亿高 2023年10月27日 22年公司外延设备市占率居国内前列。23年6月公司又成功研发8英寸单片式碳化硅外延生长设备，引领国产替代。（2）外延产能布局国外双寡头垄断全球市场，CR2超90%。2020年Wolfspeed与昭和电工分别占据全球碳化硅导电型外延片碳化硅（SiC）行业深度：市场空间、未来展望、产业链及相关

预见2022：《2022年中国碳化硅行业全景图谱》(附市场规模

2022年7月17日碳化硅（SiC）行业分析报告：碳化硅(SiC)是一种无机物，其是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料通过电阻炉高温冶炼而成。目前已发现的SiC同质异型晶体结构有200多种，其中六方结构的4H型SiC(4HSiC)具有高临界 2021年8月16日碳化硅器件产业链主要由上游衬底材料及外延、中游器件制造、下游应用，以及各环节所用设备构成。目前产业的参与者主要以两类海外厂商为主： 1、传统功率半导体龙头：英飞凌（欧洲）、意法半导体（欧洲）、三菱电机（日本）、安森美（美国）、瑞萨电子（日本）、罗姆（日本）等。第三代半导体之碳化硅：中国半导体的黄金时代知乎碳化硅衬底产业链主要包括碳化硅粉料合成炉、单晶生长炉、切片机、研磨机、抛光机设备。由于碳化硅材料对仪器的精度和稳定性要求高，切片机、研磨机和抛光机设备依然以进口为主，正在逐步国产化。 221碳化硅粉料合成炉碳化硅衬底切割行业分析报告：8英寸碳化硅衬底的历史机遇

A股独占鳌头的9只碳化硅龙头：半导体的核心科技知乎

2021年1月12日碳化硅业务龙头 6月26日，露笑科技发布公告称，露笑半导体研发的碳化硅衬底片已送样检测通过，目前正在积极向下游客户进行送样；合肥露笑半导体一期生产用设备的安装调试工作已经完成，并准备近期投产。目前，露笑科技总市值为233亿。2023年4月28日常用来检测精抛后碳化硅衬底片划伤的设备是Candela 8520。化学机械抛光是通过化学腐蚀和机械磨损协同作用，实现工件表面材料去除及平坦化的过程。晶片在抛光液的作用下发生化学氧化作用，表面生成化学反应层，随后该反应软化层在磨粒的机械作用详解碳化硅晶片的磨抛工艺方案知乎2022年6月30日国产碳化硅器件厂商能在其中切得多大的蛋糕，笔者尚未在网上看到比较详细的数据。但是以碳化硅主要竞品IGBT的市占率分布为例，其中国产供应商占据了大约10%的份额。以此为类比，国产碳化硅器件厂商未来的营收规模在34亿至86亿美元之间。碳化硅市场规模有多大，国产厂商能分得几杯羹？知乎

碳化硅（SiC）产业研究由入门到放弃（一）转载自：信熹

2021年12月4日碳化硅粉体合成设备用于制备生长碳化硅单晶所需的碳化硅粉体，高质量的碳化硅粉体在后续的碳化硅生长中对晶体质量有重要作用。碳化硅粉体合成设备主要技术难点在于高温高真空密封与控制、真空室水冷、真空及测量系统、电气控制系统、粉体合成坩埚加热与耦合技术。2023年2月26日国内碳化硅IDM 厂商三安光电，衬底厂商天岳先进、露笑科技、东尼电子、北京天科，器件厂商士兰微、华润微电子、燕东微电子等加速扩产，而设备是决定各厂商产能上限的决定性因素。碳化硅产业资本开支加速，供应链安全可控助力国产碳化硅设备厂商行业研机械设备关注碳化硅设备国产化突破和加速究 2023 2022年3月22日掌握了碳化硅晶片生产的“设备研制—原料合成—晶体生长—晶体切割—晶片加工—清洗检测”全流程关键技术和工艺。2020 年 8 月 17，公司碳化硅碳化硅衬底设备行业深度报告：新能源需求兴起，国产

碳化硅“狂飙”：追赶、内卷、替代碳化硅新浪财经新浪网

2023年6月30日根据《2022碳化硅（SiC）产业调研白皮书》，经过过去20多年设备研发积累, 中电科48所、北方华创、恒普科技、优晶光电、纳设、晶盛机电和季华实验 2021年10月15日根据调研报告披露，合肥碳化硅项目一期100台设备已经完成出厂调试，预计7月底在合肥工厂完成安装调试；衬底片已通过多家第三方单位的测试，已达到了P级标准。随着衬底加工设备、清洗设备、测试设备等的逐步到位，以及加工工艺的进一步本土超20条碳化硅晶圆产线大盘点！知乎专栏碳化硅，第三代半导体时代的中国机会 08:57:31 来源：科技日报 5G通信、电动汽车等新兴产业对碳化硅材料将产生巨大需求，大力发展碳化硅产业，可引领带动原材料与设备两个千亿级产业，助力我国加快向高端材料、高端设备制造业转型发展的步伐碳化硅，第三代半导体时代的中国机会新华网

为什么碳化硅要用外延，而不是直接切一片厚的晶圆？知乎

2023年8月19日在国产外延设备方面，北方华创、晶盛机电等企业开始小批量生产碳化硅外延设备，且当下存在发展的良机。一是目前国内外延片的制备受限于设备交付环节（疫情等原因），无法快速放量，主流碳化硅高温外延设备交付周期普遍在152年以上。2021年6月11日 1 碳化硅的制备方法碳化硅产业链主要包含粉体、单晶材料、外延材料、芯片制备、功率器件、模块封装和应用等环节。 SiC 粉体：将高纯硅粉和高纯碳粉按一定配比混合，于2,000 ℃以上的高温下反应合成碳化硅颗粒，再经过破碎、清洗等加工工序，获得可以满足晶体生长要求的高纯度碳化硅第三代半导体材料碳化硅(SiC)研究进展知乎2020年6月16日半导体制造之设备篇半导体需要的设备比较繁杂，在晶圆制造中，由于光刻、刻蚀、沉积等流程在芯片生产过程中需要20到50次的反复制作，是芯片前端加工过程的三大核心技术，其设备价值也最高，但半导体制造设备远远不止这些，本文将一一比较国产化半导体制造之设备篇：国产、进口设备大对比知乎

2022年中国SiC碳化硅器件行业深度研究报告 East Money

2023年2月1日碳化硅、氮化镓材料的饱和电子漂移速率分别是硅的20、25倍，因此碳化硅、氮化镓器件的工作频率大于传统的硅器件。然而，氮化镓材料存在耐热性能较差的缺点，而碳化硅的耐热性和导热性都较好，可以弥补氮化镓器件耐热性较2021年8月24日目前，碳化硅功率器件市场增长的主要驱动力是碳化硅二极管在功率因素校正（PFC）电源、光伏中的大规模应用。得益于碳化硅MOSFET性能和可靠性的提高，3～5年内碳化硅MOSFET有望在新能源汽车传动系统主逆变器中获得广泛应用，未来五年内碳化硅器件市场增长的主要驱动力将由碳化硅二极管转变为碳化硅功率器件之一知乎