碳化硅后线加工设备价格

2022-04-06T23:04:10+00:00

2025市场达200亿，碳化硅关键设备企业迎历史机遇知乎

2023年11月12日综合来看，国内碳化硅关键设备产业已经逐步发力，大部分设备类型都已有国产替代方案，在碳化硅产业爆发的情况下，未来碳化硅设备市场也将不断增大，预 2022年3月22日碳化硅功率器件具有高电压、大电流、高温、高频率、低损耗等独特优势，将极大提高现有使用硅基功率器件的能源转换效率，未来将主要应用领域有电动汽车/充电桩、光伏新能源、轨道交通、智能电网等碳化硅衬底设备行业深度报告：新能源需求兴起，国产 15:10 根据东方卫视报道，首片国产 6 英寸碳化硅 MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）晶圆于 10 月 16 日在上海正式发布。从终端应用层上来看在碳化硅材料在高铁、汽车电子、智能电网、光伏逆变、工业首片国产 6 英寸碳化硅晶圆发布，有哪些工艺设备？有

碳化硅行业研究：SiC成本逐步下降，行业有望迎来爆发拐点

2022年8月15日展望未来，Wolfspeed 预测 2022 年全球 SiC 材料的市场空间在 7 亿美元，而 2026 年将增长到 17 亿美元，复合增速达到 25%，且其中用于功率器件的导电性 2022年10月3日截至 2021 年 9 月，100A 分立式 SiC MOSFET（650V 和 1200V）的零售价几乎是同等性能 Si IGBT 的 3 倍，尽管 SiC 器件在处理过的晶圆上占用的空间减少了 34 倍，但成本仍然高昂如此。造成这种巨碳化硅（SiC）纵览—第 1 期：SiC 成本竞争力和降低 2022年12月15日 11月，宇晶股份在接受机构调研时称，目前公司已实现碳化硅材料的切、磨、抛加工设备的全覆盖，因碳化硅材料的硬度高，公司线切割机采用砂浆线的方式切产业加速扩张之下，碳化硅设备成入局“香饽饽”腾讯新闻

造一颗SiC芯片，需要哪些关键设备？工艺碳化硅中国

2023年5月21日 SiC产业链关键环节及工艺特点 SiC产业链关键环节 SiC器件产业链与传统半导体类似，一般分为单晶衬底、外延、芯片、封装、模组及应用环节。 SiC单晶衬底环节通常涉及到高纯碳化硅粉体制备、单晶 2023年11月3日宇晶股份：目前公司生产的碳化硅切、磨、抛设备已实现批量销售宇晶股份 ( 26650, 012, 045%) 近期接受投资者调研时称，碳化硅是第三代半导体宇晶股份：目前公司生产的碳化硅切、磨、抛设备已实现批量 2022年8月29日人类历史上次发现碳化硅是在1891年，美国人艾奇逊在电溶金刚石的时候发现一种碳的化合物，这就是碳化硅首次合成和发现。随后各国科学家经过深入研究之后，终于理清了碳化硅的优点和特性，并且发明了各种碳化硅的长晶技术，产业研究前后长关于碳化硅，把我知道的都告诉你金刚石肖特网易订阅

工艺详解碳化硅晶片的工艺流程知乎

2020年12月8日多线切割工艺原理：多线切割工艺就是将晶锭按照一定的晶向，将晶锭切割成表面平整、厚度均匀一的切割片，以便于后面的研磨加工。其基本原理是优质钢线在晶锭表面高速来回运动，附着在钢丝上的切割液中的金刚石颗粒对晶锭产生剧烈摩擦，使得材料碎裂并从母体表面脱落，达到切割的效果。2021年12月5日本文首发自公众号：价值盐选今天我们分析一下半导体产业链，这条产业链分为很多环节，比如材料、设备、芯片设计、芯片制造、封装测试。我们先来分析其中一种材料，叫做碳化硅 SiC。 01 SiC 基碳化硅产业链最全分析知乎2021年8月16日当然，碳化硅器件目前价格还较高，例如从衬底角度来看，受碳化硅生长速度较慢的影响，一片6寸的碳化硅晶圆价格在1000美元以上，是同尺寸硅晶圆价格的20倍以上。不过，据第三代半导体产业技术创新战略联盟表示，其与传统产品价差正在持续缩小。第三代半导体之碳化硅：中国半导体的黄金时代知乎

为什么碳化硅要用外延，而不是直接切一片厚的晶圆？知乎

2023年8月19日 SiC外延片制备设备情况碳化硅外延材料的主要设备，目前这个市场上主要有以下几家： 1、德国的Aixtron：特点是产能比较大；2、意大利的LPE，属于单片机，生长速率非常大。3、日本的TEL和Nuflare，其设备的价格非常昂贵，其次是双腔体，对提高产量有2019年9月5日第三代半导体发展之碳化硅（SiC）篇代半导体材料：锗、硅等单晶半导体材料，硅拥有11eV的禁带宽度以及氧化后非常稳定的特性。第二代半导体材料：砷化镓、锑化铟等化合物半导体材料，砷化镓拥有14电子伏特的禁带宽度以及比硅高五倍的电子第三代半导体发展之碳化硅（SiC）篇知乎2022年10月28日因此，碳化硅衬底切割、研磨、加工的耗材还需不断发展和完善。下面我们对各工序产品进行逐一介绍。 01 碳化硅单晶衬底多线切割液目前切割碳化硅的主流方法是砂浆线切割(游离磨粒线切割)，砂浆线切割(游离磨粒线切割)是指在加工过程中切割线往复高速碳化硅单晶衬底切、磨、抛材料整体解决方案发展加工的表面

碳化硅晶片加工过程及难点知乎

2022年1月21日碳化硅衬底加工难点四、切割磨损高，由于碳化硅的硬度极大，在对其进行切割时加工难度较高且磨损多。昂贵的时间成本和复杂的加工工艺使得碳化硅衬底的成本较高，限制了碳化硅的应用放量。此外，晶片尺寸越大，对应晶体的生长与加工技术难度越 2021年12月16日针对碳化硅单晶衬底加工技术，本文综述了碳化硅单晶切片、薄化与抛光工艺段的研究现状，分析对比了切片、薄化、抛光加工工艺机理，指出了加工过程中的关键影响因素和未来发展趋势。 1、背景与意义作为半导体产业中的衬底材料，碳化硅单晶具有优碳化硅单晶衬底加工技术现状及发展趋势知乎2023年6月19日但是，碳化硅晶体具有高硬度，高脆性，耐磨性好，化学稳定性好等特点，这又使得碳化硅晶片的加工变得非常困难。碳化硅衬底的加工主要分为以下几个工序，切割，粗磨，精磨，粗抛，精抛（CMP）。1切割切割是将SiC晶棒沿着一定的方向切割成晶体薄【半导体】碳化硅晶片的磨抛工艺方案知乎

碳化硅单晶衬底切、磨、抛材料整体解决方案发展加

2022年10月28日因此，碳化硅衬底切割、研磨、加工的耗材还需不断发展和完善。下面我们对各工序产品进行逐一介绍。 01 碳化硅单晶衬底多线切割液目前切割碳化硅的主流方法是砂浆线切割(游离磨粒线切割)，砂浆线 2022年1月21日碳化硅衬底加工难点四、切割磨损高，由于碳化硅的硬度极大，在对其进行切割时加工难度较高且磨损多。昂贵的时间成本和复杂的加工工艺使得碳化硅衬底的成本较高，限制了碳化硅的应用放量。此外，晶片尺寸越大，对应晶体的生长与加工技术难度越碳化硅晶片加工过程及难点知乎2021年12月16日针对碳化硅单晶衬底加工技术，本文综述了碳化硅单晶切片、薄化与抛光工艺段的研究现状，分析对比了切片、薄化、抛光加工工艺机理，指出了加工过程中的关键影响因素和未来发展趋势。 1、背景与碳化硅单晶衬底加工技术现状及发展趋势知乎

产业加速扩张之下，碳化硅设备成入局“香饽饽”腾讯新闻

2022年12月15日产业加速扩张之下，碳化硅设备成入局“香饽饽” 集微网报道，2022年以来，受全球消费电子市场整体放缓以及新冠疫情反复的影响，半导体产业在经历了持续良久的高景气后开启了去库存周期。值得一提的是，虽然半导体产业已经步入下行周期，但仍有部分 2022年7月17日碳化硅（SiC）行业分析报告：碳化硅(SiC)是一种无机物，其是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料通过电阻炉高温冶炼而成。目前已发现的SiC同质异型晶体结构有200多种，其中六方结构的4H型SiC(4HSiC)具有高临界预见2022：《2022年中国碳化硅行业全景图谱》(附市场规模 2020年8月14日相信做这一行的都知道碳化硅陶瓷是一种很硬的材料，并且碳化硅具有良好的耐磨性，耐腐蚀性、耐高温、耐磨损、还有优异的化学稳定性能。所以加工起来也是较为困难的吧。前不久我们厂里接到了好几个加工碳化硅陶瓷的单子，加工起来特别难，还有没有能加工碳化硅陶瓷的加工厂？知乎

碳化硅陶瓷的加工方法及常见问题知乎

2023年5月4日碳化硅陶瓷的加工方法及常见问题碳化硅陶瓷是一种通过高温烧结而成的无机非金属材料，具有耐高温、耐腐蚀、耐磨损及抗热冲击等优点。近年来，随着陶瓷增韧强化技术的进步以及机械加工方法的开发，碳化硅陶瓷的应用范围迅速扩大。碳化硅陶瓷加工 2022年2月18日碳化硅，究竟贵在哪里？来源：内容由半导体行业观察（ID：icbank）原创，作者：姚东来，谢谢。碳化硅半导体，是新近发展的宽禁带半导体的核心材料，以其制作的器件具有耐高温、耐高压、高频、大功率、抗辐射等特点，具有开关速度快、效率高的优碳化硅，究竟贵在哪里？知乎2022年9月6日四、碳化硅产业现状 1、中国碳化硅产量分为黑碳化硅和绿碳化硅，2020年中国黑碳化硅产量为75万吨，绿碳化硅产量为105万吨，2021年中国黑碳化硅产量为90万吨，绿碳化硅为11万吨，产量相继上涨。说明我国碳化硅行业发展前景及需求量较为良好。 20202021年碳化硅行业发展现状如何？一文读懂碳化硅产量、良率及进出口

碳化硅衬底设备行业深度报告：新能源需求兴起，国产替代有

2022年3月2日 1 SiC 碳化硅：产业化黄金时代已来；衬底为产业链核心 11 SiC 特点：第三代半导体之星，高压、高功率应用场景下性能优越半导体材料是制作半导体器件和集成电路的电子材料。核心分为以下三代： 1) 代元素半导体材料：硅（Si）和锗 (Ge)；为半 2023年5月8日碳化硅行业企业的业态主要可以分为两种商业模式：类是覆盖较全的产业链环节，同时从事碳化硅衬底、外延及器件的制作，例如科锐公司等；第二类是只从事产业链的单个或者部分环节，例如IIVI公中国碳化硅产业链全景图，附30家企业汇总知乎2021年5月24日 SIC外延漫谈目前所有的碳化硅器件基本上都是在外延上实现的，外延环节是产业链的中间环节，首先，器件的设计对外延的质量性能要求高影响非常大，同时外延的质量也受到晶体和衬底加工的影响，所以SIC外延环节对产业链的整体发展起到非常关键的作用 SIC外延漫谈知乎

第三代半导体材料碳化硅(SiC)研究进展知乎

2021年6月11日 1 碳化硅的制备方法碳化硅产业链主要包含粉体、单晶材料、外延材料、芯片制备、功率器件、模块封装和应用等环节。 SiC 粉体：将高纯硅粉和高纯碳粉按一定配比混合，于2,000 ℃以上的高温下反应合成碳化硅颗粒，再经过破碎、清洗等加工工序，获得可以满足晶体生长要求的高纯度碳化硅 2022年4月27日国际上8英寸SiC单晶衬底研制成功已有报道，但尚未有产品投放市场。 8英寸SiC晶体生长的难点在于：首先要研制出8英寸籽晶；其次要解决大尺寸带来的温场不均匀、气相原料分布和输运效率问题；另外，还要解决应力加大导致晶体开裂问题。在已有的研 8英寸碳化硅单晶研究获进展中国科学院2022年10月3日设备封装是一个重要的额外成本，但是，这个成本与基于硅的设备没有什么不同。此外，虽然早期的 EV 逆变器使用了 TO247 封装的 MOSFET，但随着时间的推移，人们预计会为定制的逆变器模块提供裸芯片。降低SiC成本多种因素的综合结果将带来 SiC 价格的碳化硅（SiC）纵览—第 1 期：SiC 成本竞争力和降低成本的

第三代半导体碳化硅行业深度研究报告（上篇）知乎

2022年3月9日碳化硅晶体生长是碳化硅衬底制备的关键技术，目前行业采用主流的方法为物理气相传输法（PVT）。碳化硅衬底行业属于技术密集型行业，是材料、热动力学、半导体物理、化学、计算机仿真模拟、机械等交叉学科应用，其制作过程首先是使晶体生长形成碳化硅晶锭，将其加工和切割形成碳化硅 2023年6月25日在半绝缘型碳化硅衬底上生长氮化镓外延层制得碳化硅基氮化镓(GaNonSiC)外延片，可制成微波射频器件，应用于5G通信等领域;在导电型碳化硅衬底上碳化硅“狂飙”：追赶、内卷、替代碳化硅新浪财经新浪网2023年4月17日碳化硅作为第三代宽禁带半导体材料的代表，在禁带宽度、击穿电场、热导率、电子饱和速率、抗辐射能力等关键参数方面具有显著优势，满足了现代工业对高功率、高电压、高频率的需求，主要被用于制作高速、高频、大功率及发光电子元器件，下游应用碳化硅行业专题分析：第三代半导体之星腾讯网

碳化硅衬底市场群雄逐鹿碳化硅衬底制备环节流程知乎

2023年3月28日碳化硅衬底制备环节主要包括原料合成、碳化硅晶体生长、晶锭加工、晶棒切割、切割片研磨、研磨片抛光、抛光片清洗等环节，其中制备重难点主要是晶体生长和切割研磨抛光环节，是整个衬底生产环节中的重点与难点，成为限制碳化硅良率与产能提升的 2021年7月3日揭秘第三代芯片材料碳化硅国产替代黄金赛道硅是目前制造芯片和半导体器件最广泛的原材料，90% 以上的半导体产品是以硅为原材料制成的揭秘第三代芯片材料碳化硅国产替代黄金赛道芯片碳化硅 2020年12月2日技术碳化硅产业链条核心：外延技术碳化硅功率器件与传统硅功率器件制作工艺不同，不能直接制作在碳化硅单晶材料上，必须在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延材料，并在外延层上制造各类器技术碳化硅产业链条核心：外延技术知乎

碳化硅衬底设备行业深度报告：新能源需求兴起，国产替代有

2022年3月2日碳化硅衬底设备行业深度报告：新能源需求兴起，国产替代有望突破 1 SiC 碳化硅：产业化黄金时代已来；衬底为产业链核心 11 SiC 特点：第三代半导体之星，高压、高功率应用场景下性能优越半导体材料是制作半导体器件和集成电路的电子材料。核心分 2023年5月21日国内主要设备厂家包括中国电子科技集团公司第四十五研究所、唐山晶玉和湖南宇晶等，国产设备在切割效率、加工精度、可靠性和工艺成套性等方面与国外设备有一定差距，100～150mmSiC晶体切割设备造一颗SiC芯片，需要哪些关键设备？工艺碳化硅中国2022年8月29日 6英寸的很多设备相对比较充裕，价格也比8英寸的便宜多，投资总金额也小很多，换句话说盖条6英寸碳化硅线要赚钱不难。新盖一条8英寸线，设备又贵又难找，动辄十多亿的投入，根本赚不了钱。所以不用担心国内才6英寸，国外8英寸追不上怎么办？关于碳化硅，把我知道的都告诉你新浪网

中金碳化硅材料：乘碳中和之东风，国内厂商奋起直追新浪

2022年1月13日我们认为行业应避免产能无序扩张。碳化硅材料企业盈利能力及估值展望：我们认为SiC衬底供应商的整体良品率与每个单晶炉年产量是体现公司 2019年10月9日碳化硅（SiliconCarbide）是C元素和Si元素形成的化合物。自然界中也存在天然SiC矿石（莫桑石），然而因其极其罕见，仅仅存在于年代久远的陨石坑内，所以市面上的碳化硅绝大多数都是人工合成物。纯的SiC晶体是无色透明物，工业生产出的碳化硅由半导体届“小红人”——碳化硅知乎2023年5月17日碳化硅半导体产品供不应求，SK集团要扩大产能近3倍据悉，SK集团正大幅扩大SiC产能，SK集团表示，SK powertech位于釜山的新工厂结束试运行，将正式投入批量生产，这意味着SK集团的SiC（碳化硅）半导体产能将扩大近3倍，预计2026年SK powertech销售额增长将超过5000 碳化硅半导体产品供不应求，SK集团要扩大产能近3倍腾讯网

详解碳化硅晶片的磨抛工艺方案磨料金刚石sic网易订阅

2023年4月28日高锰酸钾起到氧化腐蚀作用，纳米氧化铝颗粒起到机械磨削的作用，加工后的碳化硅衬底片表面粗糙度能达到02nm以内。 2)精抛：通常采用100nm以内的氧化硅抛光液搭配黑色阻尼布精抛垫使用，使用单面抛光机对碳化硅衬底片的Si面进行抛光。2022年8月30日很长一段时间内主流一定是6英寸。6英寸的很多设备相对比较充裕，价格也比8英寸的便宜多，投资总金额也小很多，换句话说盖条6英寸碳化硅线要赚钱不难。新盖一条8英寸线，设备又贵又难找，动辄十多亿的投入，根本赚不了钱。关于碳化硅，把我知道的都告诉你作者：陈启来源：启哥有何 2023年3月15日随着技术进步，未来碳化硅器件的价格有望持续下降，其行业应用将快速发展。在碳化硅产能方面，衬底和外延方面国内公司产能以4英寸为主，向6英寸过渡，而国际上已实现6英寸商用化，各龙头公司纷纷开启8英寸布局，国内产能仍落后一定差距。未来随最新碳化硅器件产能进展与下游终端项目量产情况分析知乎

关于碳化硅，把我知道的都告诉你金刚石肖特网易订阅

2022年8月29日人类历史上次发现碳化硅是在1891年，美国人艾奇逊在电溶金刚石的时候发现一种碳的化合物，这就是碳化硅首次合成和发现。随后各国科学家经过深入研究之后，终于理清了碳化硅的优点和特性，并且发明了各种碳化硅的长晶技术，产业研究前后长 2020年12月8日多线切割工艺原理：多线切割工艺就是将晶锭按照一定的晶向，将晶锭切割成表面平整、厚度均匀一的切割片，以便于后面的研磨加工。其基本原理是优质钢线在晶锭表面高速来回运动，附着在钢丝上的切割液中的金刚石颗粒对晶锭产生剧烈摩擦，使得材料碎裂并从母体表面脱落，达到切割的效果。工艺详解碳化硅晶片的工艺流程知乎2021年12月5日本文首发自公众号：价值盐选今天我们分析一下半导体产业链，这条产业链分为很多环节，比如材料、设备、芯片设计、芯片制造、封装测试。我们先来分析其中一种材料，叫做碳化硅 SiC。 01 SiC 基碳化硅产业链最全分析知乎

第三代半导体之碳化硅：中国半导体的黄金时代知乎

2021年8月16日当然，碳化硅器件目前价格还较高，例如从衬底角度来看，受碳化硅生长速度较慢的影响，一片6寸的碳化硅晶圆价格在1000美元以上，是同尺寸硅晶圆价格的20倍以上。不过，据第三代半导体产业技术创新战略联盟表示，其与传统产品价差正在持续缩小。2023年8月19日 SiC外延片制备设备情况碳化硅外延材料的主要设备，目前这个市场上主要有以下几家： 1、德国的Aixtron：特点是产能比较大；2、意大利的LPE，属于单片机，生长速率非常大。3、日本的TEL和Nuflare，其设备的价格非常昂贵，其次是双腔体，对提高产量有为什么碳化硅要用外延，而不是直接切一片厚的晶圆？知乎2019年9月5日第三代半导体发展之碳化硅（SiC）篇代半导体材料：锗、硅等单晶半导体材料，硅拥有11eV的禁带宽度以及氧化后非常稳定的特性。第二代半导体材料：砷化镓、锑化铟等化合物半导体材料，砷化镓拥有14电子伏特的禁带宽度以及比硅高五倍的电子第三代半导体发展之碳化硅（SiC）篇知乎

碳化硅单晶衬底切、磨、抛材料整体解决方案发展加工的表面

2022年10月28日因此，碳化硅衬底切割、研磨、加工的耗材还需不断发展和完善。下面我们对各工序产品进行逐一介绍。 01 碳化硅单晶衬底多线切割液目前切割碳化硅的主流方法是砂浆线切割(游离磨粒线切割)，砂浆线切割(游离磨粒线切割)是指在加工过程中切割线往复高速2022年1月21日碳化硅衬底加工难点四、切割磨损高，由于碳化硅的硬度极大，在对其进行切割时加工难度较高且磨损多。昂贵的时间成本和复杂的加工工艺使得碳化硅衬底的成本较高，限制了碳化硅的应用放量。此外，晶片尺寸越大，对应晶体的生长与加工技术难度越碳化硅晶片加工过程及难点知乎2021年12月16日针对碳化硅单晶衬底加工技术，本文综述了碳化硅单晶切片、薄化与抛光工艺段的研究现状，分析对比了切片、薄化、抛光加工工艺机理，指出了加工过程中的关键影响因素和未来发展趋势。 1、背景与意义作为半导体产业中的衬底材料，碳化硅单晶具有优碳化硅单晶衬底加工技术现状及发展趋势知乎